casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R190C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R190C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R190C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R190C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 34W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R190C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R190C6XKSA1-FT |
SPN03N60C3
Infineon Technologies
SPN03N60S5
Infineon Technologies
SPN04N60S5
Infineon Technologies
BSA223SP
Infineon Technologies
IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R450P7ATMA1
Infineon Technologies
IGLD60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IGOT60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
IGO60R070D1AUMA1
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation