casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPN03N60C3
codice articolo del costruttore | SPN03N60C3 |
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Numero di parte futuro | FT-SPN03N60C3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPN03N60C3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPN03N60C3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPN03N60C3-FT |
BSP129H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP149H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSP171PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP318SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP716NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP123E6327T
Infineon Technologies
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP125 E6327
Infineon Technologies
BSP125 E6433
Infineon Technologies
BSP125H6327XTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel