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Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1

Numero parte MFG
IGLD60R070D1AUMA1
quantità disponibile
33800 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 12.759824
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8SON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore IGLD60R070D1AUMA1
Numero di parte futuro FT-IGLD60R070D1AUMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolGaN™
IGLD60R070D1AUMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 114W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-LSON-8-1
Pacchetto / caso 8-LDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGLD60R070D1AUMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IGLD60R070D1AUMA1-FT

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