casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R950CE
codice articolo del costruttore | IPA50R950CE |
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Numero di parte futuro | FT-IPA50R950CE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA50R950CE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 25.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R950CE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R950CE-FT |
TK10A80E,S4X
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TK100A06N1,S4X
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