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codice articolo del costruttore | TK58A06N1,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK58A06N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK58A06N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK58A06N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK58A06N1,S4X-FT |
R6020FNX
Rohm Semiconductor
IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
TK40A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6010ANX
Rohm Semiconductor
R5009FNX
Rohm Semiconductor
TK3R1A04PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX700N20
Rohm Semiconductor
IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
R5009ANX
Rohm Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation