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Toshiba Semiconductor and Storage TK58A06N1,S4X

Numero parte MFG
TK58A06N1,S4X
quantità disponibile
41870 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.072
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TK58A06N1,S4X specificazioni

codice articolo del costruttore TK58A06N1,S4X
Numero di parte futuro FT-TK58A06N1,S4X
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie U-MOSVIII-H
TK58A06N1,S4X Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 35W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK58A06N1,S4X Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK58A06N1,S4X-FT

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