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codice articolo del costruttore | TK290A65Y,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK290A65Y,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSV |
TK290A65Y,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK290A65Y,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK290A65Y,S4X-FT |
TK40A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6010ANX
Rohm Semiconductor
R5009FNX
Rohm Semiconductor
TK3R1A04PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX700N20
Rohm Semiconductor
IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
R5009ANX
Rohm Semiconductor
SPA15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
R8002ANX
Rohm Semiconductor
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel