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codice articolo del costruttore | TK290A65Y,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK290A65Y,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DTMOSV |
TK290A65Y,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 450µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 300V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK290A65Y,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK290A65Y,S4X-FT |
TK40A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6010ANX
Rohm Semiconductor
R5009FNX
Rohm Semiconductor
TK3R1A04PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX700N20
Rohm Semiconductor
IPA80R450P7XKSA1
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R5009ANX
Rohm Semiconductor
SPA15N60C3XKSA1
Infineon Technologies
R8002ANX
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel