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codice articolo del costruttore | TK34A10N1,S4X |
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Numero di parte futuro | FT-TK34A10N1,S4X |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | U-MOSVIII-H |
TK34A10N1,S4X Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK34A10N1,S4X Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TK34A10N1,S4X-FT |
TK17A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R5016FNX
Rohm Semiconductor
R6020FNX
Rohm Semiconductor
IPA60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
TK40A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4R3A06PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
R6010ANX
Rohm Semiconductor
R5009FNX
Rohm Semiconductor
TK3R1A04PL,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
RCX700N20
Rohm Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel