casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA50R800CE
codice articolo del costruttore | IPA50R800CE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA50R800CE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA50R800CE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 26.4W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R800CE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA50R800CE-FT |
TK32A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK34A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK58A06N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK22A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290A65Y,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25A60X5,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25A60X,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel