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codice articolo del costruttore | IHB5BV4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB5BV4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB5BV4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 29.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.450" (36.83mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB5BV4R7M-FT |
IHB3BV681K
Vishay Dale
IHB3BV821K
Vishay Dale
IHB3BV8R2M
Vishay Dale
IHB3EB100K
Vishay Dale
IHB3EB101K
Vishay Dale
IHB3EB102K
Vishay Dale
IHB3EB122K
Vishay Dale
IHB3EB182K
Vishay Dale
IHB3EB220K
Vishay Dale
IHB3EB221K
Vishay Dale
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel