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codice articolo del costruttore | IHB3EB122K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3EB122K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3EB122K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.2mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 462 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB122K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3EB122K-FT |
IHB2BV1R8M
Vishay Dale
IHB2BV220K
Vishay Dale
IHB2BV221K
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XC3S250E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel