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codice articolo del costruttore | IHB3BV821K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3BV821K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3BV821K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 820µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 288 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV821K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3BV821K-FT |
IHB2BV152K
Vishay Dale
IHB2BV180K
Vishay Dale
IHB2BV181K
Vishay Dale
IHB2BV182K
Vishay Dale
IHB2BV1R0M
Vishay Dale
IHB2BV1R8M
Vishay Dale
IHB2BV220K
Vishay Dale
IHB2BV221K
Vishay Dale
IHB2BV222K
Vishay Dale
IHB2BV270K
Vishay Dale
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation