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codice articolo del costruttore | IHB3EB220K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB3EB220K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB3EB220K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 22µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 10.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 11 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB220K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB3EB220K-FT |
IHB2BV221K
Vishay Dale
IHB2BV222K
Vishay Dale
IHB2BV270K
Vishay Dale
IHB2BV271K
Vishay Dale
IHB2BV330K
Vishay Dale
IHB2BV331K
Vishay Dale
IHB2BV390K
Vishay Dale
IHB2BV391K
Vishay Dale
IHB2BV3R3M
Vishay Dale
IHB2BV470K
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel