casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / IHB4BV8R2M
codice articolo del costruttore | IHB4BV8R2M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IHB4BV8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB4BV8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 23.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.030" (26.16mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB4BV8R2M-FT |
IHB2EB471K
Vishay Dale
IHB2EB4R7M
Vishay Dale
IHB2EB560K
Vishay Dale
IHB2EB561K
Vishay Dale
IHB2EB5R6M
Vishay Dale
IHB2EB680K
Vishay Dale
IHB2EB681K
Vishay Dale
IHB2EB6R8M
Vishay Dale
IHB2EB820K
Vishay Dale
IHB2EB821K
Vishay Dale
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel