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codice articolo del costruttore | IHB2EB821K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB821K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB821K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 820µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 590 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB821K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB821K-FT |
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
Vishay Dale
IHB1BV2R2M
Vishay Dale
IHB1BV330K
Vishay Dale
IHB1BV331K
Vishay Dale
IHB1BV390K
Vishay Dale
IHB1BV3R3M
Vishay Dale
IHB1BV3R9M
Vishay Dale
IHB1BV470K
Vishay Dale
IHB1BV4R7M
Vishay Dale
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel