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codice articolo del costruttore | IHB2EB820K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB820K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB820K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 82µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB820K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB820K-FT |
IHB1BV221K
Vishay Dale
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
Vishay Dale
IHB1BV2R2M
Vishay Dale
IHB1BV330K
Vishay Dale
IHB1BV331K
Vishay Dale
IHB1BV390K
Vishay Dale
IHB1BV3R3M
Vishay Dale
IHB1BV3R9M
Vishay Dale
IHB1BV470K
Vishay Dale
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation