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codice articolo del costruttore | IHB2EB681K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB681K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB681K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 680µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB681K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB681K-FT |
IHB1BV1R0M
Vishay Dale
IHB1BV220K
Vishay Dale
IHB1BV221K
Vishay Dale
IHB1BV270K
Vishay Dale
IHB1BV271K
Vishay Dale
IHB1BV2R2M
Vishay Dale
IHB1BV330K
Vishay Dale
IHB1BV331K
Vishay Dale
IHB1BV390K
Vishay Dale
IHB1BV3R3M
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel