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Infineon Technologies BSP129E6327T
- Numero parte MFG
- BSP129E6327T
- quantità disponibile
- 14210 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- SIPMOS® MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- BSP129E6327T.pdf
BSP129E6327T specificazioni
| codice articolo del costruttore | BSP129E6327T |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-BSP129E6327T |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | SIPMOS® |
| BSP129E6327T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 108µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 108pF @ 25V |
| Caratteristica FET | Depletion Mode |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSP129E6327T Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | BSP129E6327T-FT |
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