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Infineon Technologies BSP129E6327T

Name: BSP129E6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP129E6327T
Availability: InStock
Rating: 4.6 (273 reviews)

Numero parte MFG: BSP129E6327T

quantità disponibile: 14210 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: SIPMOS® MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BSP129E6327T.pdf

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BSP129E6327T specificazioni

codice articolo del costruttore	BSP129E6327T
Numero di parte futuro	FT-BSP129E6327T
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SIPMOS®
BSP129E6327T Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.7nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	108pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP129E6327T Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BSP129E6327T-FT

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