casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP125L6433HTMA1
codice articolo del costruttore | BSP125L6433HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP125L6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP125L6433HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP125L6433HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP125L6433HTMA1-FT |
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
SPU07N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPU60R600C6BKMA1
Infineon Technologies
AUIRLU3114Z
Infineon Technologies
SPU01N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPU039N03LGXK
Infineon Technologies
SPU02N60C3BKMA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel