casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP125L6433HTMA1
codice articolo del costruttore | BSP125L6433HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSP125L6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSP125L6433HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP125L6433HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP125L6433HTMA1-FT |
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
SPU07N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPU60R600C6BKMA1
Infineon Technologies
AUIRLU3114Z
Infineon Technologies
SPU01N60C3BKMA1
Infineon Technologies
IPU039N03LGXK
Infineon Technologies
SPU02N60C3BKMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel