casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HTNFET-T
codice articolo del costruttore | HTNFET-T |
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Numero di parte futuro | FT-HTNFET-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HTMOS™ |
HTNFET-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
Vgs (massimo) | 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tj) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Power Tab |
Pacchetto / caso | 4-SIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTNFET-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HTNFET-T-FT |
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
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IPT004N03LATMA1
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IAUT300N10S5N015ATMA1
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IPLU300N04S4R8XTMA1
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IPT012N08N5ATMA1
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IRL40T209ATMA1
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IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
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IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
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EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation