casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IAUT165N08S5N029ATMA2
codice articolo del costruttore | IAUT165N08S5N029ATMA2 |
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Numero di parte futuro | FT-IAUT165N08S5N029ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IAUT165N08S5N029ATMA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 165A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6370pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-HSOF-8-1 |
Pacchetto / caso | 8-PowerSFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IAUT165N08S5N029ATMA2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IAUT165N08S5N029ATMA2-FT |
IPI60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R520CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI60R600CPAKSA1
Infineon Technologies
IPI65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel