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Infineon Technologies IAUT165N08S5N029ATMA2

Name: IAUT165N08S5N029ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT165N08S5N029ATMA2
Price: 1.510168 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (256 reviews)

Numero parte MFG: IAUT165N08S5N029ATMA2

quantità disponibile: 49160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.510168

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fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: OptiMOS™ MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IAUT165N08S5N029ATMA2.pdf

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IAUT165N08S5N029ATMA2 specificazioni

codice articolo del costruttore	IAUT165N08S5N029ATMA2
Numero di parte futuro	FT-IAUT165N08S5N029ATMA2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	OptiMOS™
IAUT165N08S5N029ATMA2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	165A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT165N08S5N029ATMA2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IAUT165N08S5N029ATMA2-FT

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