casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HFA25TB60S
codice articolo del costruttore | HFA25TB60S |
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Numero di parte futuro | FT-HFA25TB60S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFRED® |
HFA25TB60S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HFA25TB60S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HFA25TB60S-FT |
BYWB29-150HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-150HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel