casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWB29-50HE3/45
codice articolo del costruttore | BYWB29-50HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWB29-50HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-50HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-50HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWB29-50HE3/45-FT |
15ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
19TQ015S
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel