casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWB29-150HE3/81
codice articolo del costruttore | BYWB29-150HE3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWB29-150HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-150HE3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-150HE3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWB29-150HE3/81-FT |
12TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
12TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH03S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETH06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel