casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWB29-50-E3/81
codice articolo del costruttore | BYWB29-50-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWB29-50-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-50-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-50-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWB29-50-E3/81-FT |
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel