casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYWB29-50-E3/81
codice articolo del costruttore | BYWB29-50-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-BYWB29-50-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYWB29-50-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYWB29-50-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYWB29-50-E3/81-FT |
15ETL06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15ETX06S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060S
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
15TQ060STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
18TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel