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Rohm Semiconductor RS1G120MNTB

Numero parte MFG
RS1G120MNTB
quantità disponibile
58540 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.12648
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RS1G120MNTB specificazioni

codice articolo del costruttore RS1G120MNTB
Numero di parte futuro FT-RS1G120MNTB
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RS1G120MNTB Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.2 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSOP
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1G120MNTB Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RS1G120MNTB-FT

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