casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GUO40-08NO1
codice articolo del costruttore | GUO40-08NO1 |
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Numero di parte futuro | FT-GUO40-08NO1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GUO40-08NO1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 5-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | GUFP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GUO40-08NO1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GUO40-08NO1-FT |
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-5410M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6JL-5000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6JL-5000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6JL-5301E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation