casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6J-1M3/51
codice articolo del costruttore | GBU6J-1M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6J-1M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6J-1M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6J-1M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6J-1M3/51-FT |
G3SBA60L-5700M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5702E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5702M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel