casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6J-5410M3/51
codice articolo del costruttore | GBU6J-5410M3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-GBU6J-5410M3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6J-5410M3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6J-5410M3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6J-5410M3/51-FT |
G3SBA60L-5702E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5702M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel