casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6JL-5000E3/51
codice articolo del costruttore | GBU6JL-5000E3/51 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU6JL-5000E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5000E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5000E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6JL-5000E3/51-FT |
G3SBA60L-5702M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel