casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBU6JL-5000E3/51
codice articolo del costruttore | GBU6JL-5000E3/51 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-GBU6JL-5000E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5000E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5000E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBU6JL-5000E3/51-FT |
G3SBA60L-5702M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5703M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5704M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5705M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-5708M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6FTG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-1FBG676C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256C6G
Intel
EP4CGX15BF14I7
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP20K200CB356C8
Intel