casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GKI06109
codice articolo del costruttore | GKI06109 |
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Numero di parte futuro | FT-GKI06109 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GKI06109 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 23.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 650µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GKI06109 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GKI06109-FT |
STL110NS3LLH7
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STL24NM60N
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STL33N60M2
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A54SX32-1TQ144M
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A3P400-2FGG256I
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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Xilinx Inc.