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STMicroelectronics STL19N60M2

Name: STL19N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL19N60M2
Price: 1.14048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (77 reviews)

Numero parte MFG: STL19N60M2

quantità disponibile: 15060 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.14048

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: MDmesh™ M2 MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STL19N60M2.pdf

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STL19N60M2 specificazioni

codice articolo del costruttore	STL19N60M2
Numero di parte futuro	FT-STL19N60M2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ M2
STL19N60M2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	791pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	90W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STL19N60M2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STL19N60M2-FT

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