casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL17N65M5
codice articolo del costruttore | STL17N65M5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL17N65M5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ V |
STL17N65M5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta), 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 374 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 816pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 70W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (8x8) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL17N65M5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL17N65M5-FT |
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XCV1000E-8FG900C
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A3P400-1FGG484I
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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