casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL24NM60N
codice articolo del costruttore | STL24NM60N |
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Numero di parte futuro | FT-STL24NM60N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ II |
STL24NM60N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta), 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (8x8) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL24NM60N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL24NM60N-FT |
STD7ANM60N
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XCV1000E-8FG900C
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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