casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25WD40CTIGR
codice articolo del costruttore | GD25WD40CTIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25WD40CTIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25WD40CTIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD40CTIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25WD40CTIGR-FT |
GD25Q127CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q127CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CSJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTEGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CTJGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CSIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q32CTJG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation