casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25Q16CTEGR
codice articolo del costruttore | GD25Q16CTEGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25Q16CTEGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25Q16CTEGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q16CTEGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25Q16CTEGR-FT |
W25Q16FWSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q40EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q40EWSVIG
Winbond Electronics
W25Q40EWSVIG TR
Winbond Electronics
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
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