casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25Q16CSJGR
codice articolo del costruttore | GD25Q16CSJGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25Q16CSJGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25Q16CSJGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frequenza di clock | 120MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q16CSJGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25Q16CSJGR-FT |
W25Q16FWSNIQ
Winbond Electronics
W25Q16FWSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q40EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q40EWSVIG
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel