casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25Q127CSJGR
codice articolo del costruttore | GD25Q127CSJGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25Q127CSJGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25Q127CSJGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 12µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25Q127CSJGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25Q127CSJGR-FT |
24LC128T-I/SMG
Microchip Technology
24LC515-I/SM
Microchip Technology
W25Q16FWSNIQ
Winbond Electronics
W25Q16FWSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVSNIQ TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q20EWSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ
Winbond Electronics
W25Q32JVSTIQ TR
Winbond Electronics
W25Q40CLSNIG TR
Winbond Electronics
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel