casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GA06JT12-247
codice articolo del costruttore | GA06JT12-247 |
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Numero di parte futuro | FT-GA06JT12-247 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GA06JT12-247 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) (90°C) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 6A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AB |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA06JT12-247 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GA06JT12-247-FT |
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation