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IAUT260N10S5N019ATMA1 Image

Infineon Technologies IAUT260N10S5N019ATMA1

Numero parte MFG
IAUT260N10S5N019ATMA1
quantità disponibile
50520 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.297728
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
OptiMOS™-5 MOSFET75V120V
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IAUT260N10S5N019ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore IAUT260N10S5N019ATMA1
Numero di parte futuro FT-IAUT260N10S5N019ATMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™-5
IAUT260N10S5N019ATMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 260A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 166nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11830pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso 8-PowerSFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT260N10S5N019ATMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IAUT260N10S5N019ATMA1-FT

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