casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FZ1200R33HE3BPSA1
codice articolo del costruttore | FZ1200R33HE3BPSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FZ1200R33HE3BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FZ1200R33HE3BPSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1200A |
Potenza - Max | 13000W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 1200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 210nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R33HE3BPSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FZ1200R33HE3BPSA1-FT |
FS150R17KE3GBOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS150R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies
FS15R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XE3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R06XL4BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
FS15R12YT3BOMA1
Infineon Technologies
FS200R07A1E3BOSA1
Infineon Technologies
EP20K160ETC144-2
Intel
XCV200E-7FG256C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF100T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K1F40C1N
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C7
Intel