casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS150R17N3E4BOSA1
codice articolo del costruttore | FS150R17N3E4BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS150R17N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS150R17N3E4BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 835W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R17N3E4BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS150R17N3E4BOSA1-FT |
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
FMG2G300US60
ON Semiconductor
FMG2G300US60E
ON Semiconductor
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
FMG2G400US60
ON Semiconductor
FMG2G50US120
ON Semiconductor
FMG2G50US60
ON Semiconductor
FMG2G75US120
ON Semiconductor
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3FG484C
Xilinx Inc.
AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.