casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS200R07A1E3BOSA1
codice articolo del costruttore | FS200R07A1E3BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS200R07A1E3BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS200R07A1E3BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 250A |
Potenza - Max | 790W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS200R07A1E3BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS200R07A1E3BOSA1-FT |
FMG2G50US120
ON Semiconductor
FMG2G50US60
ON Semiconductor
FMG2G75US120
ON Semiconductor
FMG2G75US60
ON Semiconductor
FMS6G10US60
ON Semiconductor
FMS6G10US60S
ON Semiconductor
FMS6G15US60
ON Semiconductor
FMS6G15US60S
ON Semiconductor
FMS6G20US60
ON Semiconductor
FMS6G20US60S
ON Semiconductor
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3FG676C
Xilinx Inc.
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
10M25DCF256C7G
Intel
10M50DAF256C6G
Intel
5SGSMD4E2H29I2LN
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
10AX057K2F35I1SG
Intel