casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS150R17N3E4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS150R17N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 150A |
Potenza - Max | 835W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS150R17N3E4B11BOSA1-FT |
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
FMG2G300US60
ON Semiconductor
FMG2G300US60E
ON Semiconductor
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
FMG2G400US60
ON Semiconductor
FMG2G50US120
ON Semiconductor
FMG2G50US60
ON Semiconductor
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
XCKU040-3FBVA900E
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4N
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C7N
Intel