casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / FT24C64A-UDR-B
codice articolo del costruttore | FT24C64A-UDR-B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FT24C64A-UDR-B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FT24C64A-UDR-B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 800kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 700ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FT24C64A-UDR-B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FT24C64A-UDR-B-FT |
GD25LQ05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D05CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25D10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ10CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q20CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q40CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel