casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25WD80CEIGR
codice articolo del costruttore | GD25WD80CEIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25WD80CEIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25WD80CEIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25WD80CEIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25WD80CEIGR-FT |
71V424L10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
5AGZME5K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E5G
Intel
AX500-FGG676M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG144I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation