casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25LQ10CEIGR
codice articolo del costruttore | GD25LQ10CEIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25LQ10CEIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LQ10CEIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LQ10CEIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25LQ10CEIGR-FT |
71V424L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel