casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / GD25LQ05CEIGR
codice articolo del costruttore | GD25LQ05CEIGR |
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Numero di parte futuro | FT-GD25LQ05CEIGR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LQ05CEIGR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50µs, 2.4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Quad I/O |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-USON (2x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LQ05CEIGR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GD25LQ05CEIGR-FT |
71V416S12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel