casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS800R07A2E3B32BOSA1
codice articolo del costruttore | FS800R07A2E3B32BOSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FS800R07A2E3B32BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
FS800R07A2E3B32BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Potenza - Max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | - |
Ingresso | - |
Termistore NTC | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS800R07A2E3B32BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS800R07A2E3B32BOSA1-FT |
FS100R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GPB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4GPBPSA1
Infineon Technologies
FS100R12N2T4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17PE4BOSA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
FS10R06VE3BOMA1
Infineon Technologies
FS10R06VL4B2BOMA1
Infineon Technologies
XA3S500E-4FT256Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG456I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484
Microsemi Corporation
LFX125EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN256I
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ICE40LM1K-CM49
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-17EA-6LFN484E
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel
EP4SE230F29C3N
Intel