casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FS50R07N2E4B11BOSA1
codice articolo del costruttore | FS50R07N2E4B11BOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FS50R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | EconoPACK™ 2 |
FS50R07N2E4B11BOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 190W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS50R07N2E4B11BOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FS50R07N2E4B11BOSA1-FT |
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1
Infineon Technologies
FP50R06W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP50R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
XC4005E-4PQ100C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG325E
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3P400-PQ208
Microsemi Corporation
EP4S40G2F40I3
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEABK2H40I3LN
Intel
XA7A15T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780I4L
Intel