casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / FP50R06W2E3B11BOMA1
codice articolo del costruttore | FP50R06W2E3B11BOMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-FP50R06W2E3B11BOMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FP50R06W2E3B11BOMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Three Phase Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65A |
Potenza - Max | 175W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.1nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP50R06W2E3B11BOMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FP50R06W2E3B11BOMA1-FT |
FF450R12ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R17IE4BOSA2
Infineon Technologies
FF450R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
FF450R17ME4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P2BPSA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P3BPMA1
Infineon Technologies
FF450R33T3E3P4BPMA1
Infineon Technologies
A54SX16A-TQ144M
Microsemi Corporation
XC7K70T-2FBG676I
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CE40U19I7N
Intel
EPF10K50SFC256-1N
Intel
10CL006ZE144I8G
Intel
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation